Горячая линия

по вопросам энергосбережения

8-800-2000-261

бесплатно круглосуточно

Статьи

Технология производства светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN/AlGaN

27 Авг 2012

В статье представлены особенности использования светодиодных светильников в различных областях применения. Авторами была подробно описана технология изготовления светодиодных чипов и матриц на их основе, используемых в конструкции светодиодной лампы и их технические характеристики.

Ю. В. Чихалов, коммерческий директор ООО «Ледоникс», Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
А. А. Ткачёва, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Скачать статью "Технология производства светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN/AlGaN"

Литература:

1. Никифоров С. Проблемы, теория и реальность светодиодов // Компоненты и технологии. — 2005. — № 5.

2. Бадгутдинов М. Л. Спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n- гетероструктур InGaN/GaN, покрытых люминофорами / М. Л. Бадгутдинов, Е. В. Коробов и др. // Физика и техника полупроводников.- 2006. — Т. 40. — № 6.

3. Бланк Т. В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник / Бланк Т. В., Гольдберг Ю. А. // Физика и техника полупроводников. — 2007. — Т 41.- № 11.

4. Коган Л. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов // Электронные компоненты.- 2000.- № 2.

Опубликовано в журнале  "Энергобезопасность и энергосбережение" №4(34), 2010

Начало активности (дата): 27.08.2012 11:44:30

← Возврат к списку


Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений